设备介绍

微光显微镜（EMMI）可以通过探测器捕捉由芯片中各种缺陷产生的微弱光子，将光信号放大后转换成电信号再经过图象处理器形成发光信号的图像，将同样视野下的芯片图像与发光图像相叠加，即可实现失效点的定位。微光显微镜是半导体失效分析过程的有效工具，接面漏电、氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应、撞击游离、硅基材缺陷，均可由微光显微镜精确地定位出缺陷点。微光显微镜广泛应用于存储器，逻辑器件，功率器件和平面器件等电子器件的失效分析。

主要性能指标

1、探针台直径为 8 英寸，可单独调节 XYZ 方向，移动精度为 3μm。

2、 配置两种探测器（InGaAs、CCD）以及镜头式热成像系统。

2.1 InGaAs 探测器

2.1.1 冷却方式:电制冷

2.1.2 感光范围:900nm-1700nm

2.1.3 像素尺寸:25x25um

2.2 CCD 探测器

2.2.1冷却方式:电制冷

2.2.2 感光范围:400nm-1110nm

2.3镜头式热成像系统

2.3.1 工作波段:8-12μm

2.3.2 镜头分辨率:10um

2.3.3 视场:6.4x5.1mm

3、光学显微镜配置多种物镜:0.8X(NA≥0.4)、2.5X(NA≥0.1)、5X(NA≥0.34)、20X(NA≥0.4)、50X(NA≥0.42)。

4、参数分析仪可对器件加电，能够显示待测器件的 IV 曲线，能够设定输入电压以及限流值。测试电压量程±30V，最小电压分辨率 30μV，最大测试电流1A。最小电流分辨率 10pA。

测试示例

芯片加电后的的 EMMI 图像

芯片的热成像